講演情報
[10p-E101-7][第60回講演奨励賞受賞記念講演] X線分光測定による新規窒化物電子材料(ScAlN, NbAlN)の表面酸化状態の評価
〇佐々木 洸1、武田 崇仁1、棟方 晟啓1、久保田 航瑛1、城谷 光亮1、藤 友哉1、奥田 朋也2、黒木 颯太2、小林 正起1、藤森 淳1、小林 篤2、中根 了昌1、杉山 正和1、前田 拓也1 (1.東大、2.東京理科大)
キーワード：
ScAlN、NbAlN、X線分光法
AlNにScやYなどの遷移金属を添加することで興味深い物性を示す新規窒化物電子材料の研究が近年進展を見せている．これまで我々は，ScAlNの表面酸化について放射光を用いたX線分光測定により詳細に調べ，Sc組成の増大につれて表面酸化が顕著に生じることや表面から8 nm程度にわたってrock salt-likeなアモルファス酸化層が存在することを報告してきた．また，近年，AlNにNbを添加したNbAlNの結晶成長に成功し、AlGaN/GaNヘテロ接合上への再成長による二次元電子ガスの増大やその表面酸化状態について報告してきた。本研究では，MBE成長GaN cap/ScAlN/GaNや異なるNb組成のスパッタ成長NbAlN/GaNについて，X線光電子分光法（XPS）により化学結合状態を調べ，その表面酸化状態を評価したので報告する．