[10p-E206-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[10p-E206-3] PEDOT:PSS/Si太陽電池におけるITOスパッタ成膜温度の影響

〇(M1)跡見 柊斗¹、村田 拓生¹、加藤 慎也¹ (1.名工大院工)

キーワード：

シリコン太陽電池、PEDOT:PSS、ITO

本研究では、ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池への応用を見据え、PEDOT:PSS/Si太陽電池におけるITOスパッタの基板温度（200℃~360℃）が特性に与える影響を調査した。結果、ITO成膜によりJSCとFFは向上したが、プラズマダメージでVOCは低下した。設定温度240℃で最大効率を得たが、それ以上ではPEDOT:PSSの熱劣化により効率が低下した。