講演情報
[10p-E208-6]レーザー照射及び基板加熱を用いた薄膜Teの相状態制御
〇濱野 恵佑1、中山 牧水1、齊藤 雄太2,3、フォンス ポール1、斎木 敏治1 (1.慶大理工、2.東北大院工、3.東北大GXT)
キーワード：
相変化材料、半導体
次世代相変化メモリ材料として注目される単一元素テルル（Te）薄膜の相状態制御を目的とし、レーザー照射と基板加熱を組み合わせた検証を行った。室温下でのレーザー照射により相変化に伴う光学特性変化が観測された一方、基板加熱を行うことで室温下とは異なる相が形成された。これは基板温度制御が選択的な相形成に有効であることを示唆している。発表では第一原理計算の知見も交え、その転移メカニズムを議論する。