セッション詳細
[10p-E208-1~11]16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス
2026年9月10日(木) 13:30 〜 16:30
E208 (総合教育棟 E棟)
座長:須藤 祐司(東北大)、 畑山 祥吾(産総研)
[10p-E208-4]セレクタ応用に向けたアモルファスGe-Te二元薄膜の膜厚依存性の調査
〇(M2)猪瀬 大貴1、金 美賢1、畑山 祥吾2、齊藤 雄太1,2,3 (1.東北大工、2.産総研 SFRC、3.東北大 GXT)
[10p-E208-6]レーザー照射及び基板加熱を用いた薄膜Teの相状態制御
〇濱野 恵佑1、中山 牧水1、齊藤 雄太2,3、フォンス ポール1、斎木 敏治1 (1.慶大理工、2.東北大院工、3.東北大GXT)
[10p-E208-8]準一次元遷移金属カルコゲナイドHfTe5薄膜の相変化および抵抗スイッチング挙動
〇(D)折原 周平1、双 逸2,3、安藤 大輔1、須藤 祐司1,3 (1.東北大工、2.東北大FRIS、3.東北大AIMR)
