[10p-E208-1~11] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)16 非晶質・微結晶：16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[10p-E208-1~11]16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2026年9月10日(木) 13:30 〜 16:30

E208 (総合教育棟 E棟)

13:30 〜 13:45

[10p-E208-1]スパッタ法で作製したSb-Se薄膜の光学的・電気的性質

〇(M2)渡邊祥吾¹、後藤民浩¹ (1.群馬大理工)

13:45 〜 14:00

[10p-E208-2]真空蒸着法とスパッタ法によって製膜されたSe-Te薄膜の光学的性質

〇(M2)大竹柊伊¹、後藤民浩¹ (1.群馬大理工)

14:00 〜 14:15

[10p-E208-3]Sn-Seスパッタ膜の光学的・電気的性質

〇(M2)西田賢一朗¹、後藤民浩¹ (1.群馬大学)

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[10p-E208-4]セレクタ応用に向けたアモルファスGe-Te二元薄膜の膜厚依存性の調査

〇(M2)猪瀬大貴¹、金美賢¹、畑山祥吾²、齊藤雄太^1,2,3 (1.東北大工、2.産総研 SFRC、3.東北大 GXT)

14:30 〜 14:45

[10p-E208-5]室温スパッタ成膜による三方晶Teナノフラワーの作製

〇(M2)土橋裕太¹、山澤隼¹、中岡俊裕¹ (1.上智理工)

14:45 〜 15:00

[10p-E208-6]レーザー照射及び基板加熱を用いた薄膜Teの相状態制御

〇濱野恵佑¹、中山牧水¹、齊藤雄太^2,3、フォンスポール¹、斎木敏治¹ (1.慶大理工、2.東北大院工、3.東北大GXT)

15:15 〜 15:30

[10p-E208-7]RF波・バイアス同時印加によるAg₂Te素子の極性依存抵抗変化

〇(M2)山澤隼¹、土橋裕太¹、中岡俊裕¹ (1.上智理工)

15:30 〜 15:45

[10p-E208-8]準一次元遷移金属カルコゲナイドHfTe₅薄膜の相変化および抵抗スイッチング挙動

〇(D)折原周平¹、双逸^2,3、安藤大輔¹、須藤祐司^1,3 (1.東北大工、2.東北大FRIS、3.東北大AIMR)

15:45 〜 16:00

[10p-E208-9]カルコゲナイド系アモルファス薄膜における低温下光照射による光吸収端変化の挙動 (Ⅱ)

〇井上結稀¹、林浩司² (1.岐阜大自然研、2.岐阜大工)

16:00 〜 16:15

[10p-E208-10]アモルファス三硫化二砒素薄膜の低温下光照射による光導電率変化の挙動

〇佐藤大斗¹、林浩司² (1.岐阜大自然研、2.岐阜大工)

16:15 〜 16:30

[10p-E208-11]アモルファス二セレン化ゲルマニウム膜における光誘起吸収端変化のその場観察

〇瀬上凌斗¹、林浩司² (1.岐阜大自然研、2.岐阜大工)

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