講演情報
[10p-E208-7]RF波・バイアス同時印加によるAg2Te素子の極性依存抵抗変化
〇(M2)山澤 隼1、土橋 裕太1、中岡 俊裕1 (1.上智理工)
キーワード：
カルコゲナイド、RF波、抵抗変化素子
近年、人間のシナプス動作を模倣したアナログメモリ素子が大きな注目を集めている。我々は、単斜晶Ag2Teを用いた抵抗変化素子にRF波を印加することで、シナプス重みに対応する抵抗変調を実現してきた。本研究では、RF波による抵抗変調に対するDC電界の影響を調べるため、RF波とDCバイアス電圧を同時に印加した。その結果、極性を正から負へ切り替えた直後に一度だけ抵抗が急減する、非対称な極性依存性を観測した。