講演情報
[10p-E208-8]準一次元遷移金属カルコゲナイドHfTe5薄膜の相変化および抵抗スイッチング挙動
〇(D)折原 周平1、双 逸2,3、安藤 大輔1、須藤 祐司1,3 (1.東北大工、2.東北大FRIS、3.東北大AIMR)
キーワード：
薄膜、相変化、遷移金属カルコゲナイド
準一次元構造を有するHfTe5薄膜をRFマグネトロン同時スパッタリング法で作製し、熱処理に伴う相変化挙動と抵抗スイッチング挙動を調査した。約180℃で結晶化に伴う急峻な抵抗低下が生じ、その後300℃まで顕著な結晶構造変化を伴わずに連続的な抵抗減少を示した。さらに、HfTe5メモリデバイスでは可逆的かつ段階的な抵抗スイッチングが繰り返し確認され、HfTe5薄膜における連続的かつ可逆的な抵抗制御の可能性が示された。