[10p-E215-1~15] CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

16:00 〜 16:15

[10p-E215-10] EUV光源応用に向けたSnデブリ堆積形態の材料および温度依存性評価

〇鈴木 貴之¹、本田 能之¹、横田 大樹^2,3、永井 伸治¹、平田 祐樹³ (1.ギガフォトン株式会社、2.鳥取大学、3.東京科学大学)

キーワード：

EUV光源、Snデブリ、堆積形態

Sn-LPP方式EUV光源では、Snデブリのチャンバ内壁への堆積が光路遮蔽や排気経路の閉塞を引き起こし、装置停止の要因となり得るため、付着デブリの成長抑制が重要である。本研究ではチャンバ内壁材と温度条件の最適化を目的に、サンプル材上にマグネトロンスパッタ法を用いてSnを堆積させ、形態を評価した。その結果、基板温度200℃において緻密構造への変化を確認した。