2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)CS コードシェアセッション：【CS.10】6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[10p-E215-1~15]CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

2026年9月10日(木) 13:30 〜 17:45
E215 (総合教育棟 E棟)
13:30 〜 13:45英語発表

[10p-E215-1][Invited Talk] Enhanced Low-Temperature Crystallization of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films through H2O2 Oxidation and Exposure Control in ALD

〇Haoming Che1, Takashi Onaya1,2, Atsushi Tamura1, Masaki Ishii3, Hiroshi Taka3, Koji Kita1 (1.Dept. of Adv. Mater. Sci., The Univ. of Tokyo, 2.NIMS, 3.Nippon Sanso)
13:45 〜 14:00

[10p-E215-2]原子状水素検出用DLCコートQCMセンサの特性とカット方位依存性

〇部家 彰1、新原 晴太1、田中 一平1、住友 弘二1 (1.兵庫県立大工)
14:00 〜 14:15

[10p-E215-3]光電子制御プラズマCVDで成膜したDLCのラマン分光評価：CH4濃度依存

〇関 理志1、金坂 一樹1、焉 域霖1、岡部 優希1、小川 修一1 (1.日大生産工)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[10p-E215-4]窒素ドープDLCにおける窒素結合状態：放電様式依存性

〇焉 域霖1、関 理志1、津田 泰孝2、吉越 章隆2、小川 修一1 (1.日大生産工、2.原子力機構)
14:30 〜 14:45

[10p-E215-5]光電子制御プラズマCVDによる炭素膜の温度依存成長と価電子帯構造

〇(B)上田 槙之介1、初見 英俊1、佐藤 元伸1、二瓶 瑞久1,2、小川 修一1 (1.日大生産工、2.エヌラボ)
15:00 〜 15:15

[10p-E215-6]酸素吸着Si(001)表面におけるSi-O-Si非対称伸縮振動とSi価電子帯頂点電子状態との相互作用

〇武田 さくら1 (1.奈良先端大)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-E215-7]Si表面酸化の非線形酸素分圧依存：p-Si(001)とn-Si(001)の比較

〇岡部 優希1、津田 泰孝2、Wen Hengyu1、吉越 章隆2、高桑 雄二3、小川 修一1 (1.日本大、2.原子力機構、3.東北大)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[10p-E215-8]溶融金属中in-situ AFMによるシリコン結晶成長表面構造の冷却速度依存性分析

〇酒匂 大雅1、西脇 悠人1、一井 崇1 (1.京大院工)
15:45 〜 16:00

[10p-E215-9]多段階成長プロセスによるFeシリサイドコア/Siシェルドットのサイズ制御と発光特性評価

〇矢野 瑛汰1、今井 友貴1、山本 裕司1,2、Markus Andreas Schubert2、牧原 克典1,2 (1.名大院工、2.IHP)
16:00 〜 16:15

[10p-E215-10]EUV光源応用に向けたSnデブリ堆積形態の材料および温度依存性評価

〇鈴木 貴之1、本田 能之1、横田 大樹2,3、永井 伸治1、平田 祐樹3 (1.ギガフォトン株式会社、2.鳥取大学、3.東京科学大学)
16:30 〜 16:45

[10p-E215-11]CVDグラフェンドメイン分布の光電子運動量顕微鏡を用いた自動解析

田中 慎一郎1、菅 滋正1、染井 裕貴2、佐藤 祐輔2、松井 文彦2、今堀 樹3、青柳 良英3、〇大野 真也3 (1.阪大産研、2.分子研UVSOR、3.横国大院理工)
16:45 〜 17:00

[10p-E215-12]X線光電子分光法による界面活性剤吸着ルチル-TiO2(110)表面の研究

〇杉崎 裕一1、山下 裕司1 (1.神大化学生命)
17:00 〜 17:15

[10p-E215-13]アナターゼ型TiO₂光触媒の水蒸気雰囲気下における電子構造ダイナミクスの常圧HAXPES観察

〇(M2)村瀬 啓太1、宮崎 秀俊1、水野 丈二1、高木 康多2、安野 聡2、Juhana Jaafar3、吉田 奈央子4 (1.名工大、2.JASRI、3.UTM、4.名大)
17:15 〜 17:30

[10p-E215-14]光触媒ルチルTiO2中でなぜ太陽2光子吸収が可能か

〇加藤 弘一1、山崎 隆浩2、奈良 純3、福谷 克之1 (1.東大生研、2.阪大工、3.NIMS-MANA)
17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[10p-E215-15]HAXPESによるTi/シリカガラス界面の化学結合状態評価

〇今井 友貴1、尾崎 孝太朗1、牧原 克典1,2 (1.名大院工、2.IHP GmBH)
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