講演情報
[10p-E215-6]酸素吸着Si(001)表面におけるSi-O-Si非対称伸縮振動とSi価電子帯頂点電子状態との相互作用
〇武田 さくら1 (1.奈良先端大)
キーワード：
Si(001)、電子格子相互作用、ARPES
Si ナノデバイス中のキャリアの、フォノンや表面粗さ、電荷などによる散乱は、キャリア平均自由行程の減少をもたらし、移動度の低下につながる。特に、キャリアがゲート絶縁膜界面近傍を伝搬している場合、ゲート絶縁膜のフォノンの影響をリモートに受け、散乱される。これらの散乱過程の理解と制御は、キャリア移動度向上のために欠かせない。散乱機構の研究は従来、移動度の実測によって調べられてきた。本研究では、O吸着Si(001)価電子帯頂上の電子状態がSi–O–Si 非対称伸縮振動によって散乱される様子を角度分解光電子分光によって観測したので報告する。