[10p-E215-1~15] CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-E215-7] Si表面酸化の非線形酸素分圧依存：p-Si(001)とn-Si(001)の比較

〇岡部 優希¹、津田 泰孝²、Wen Hengyu¹、吉越 章隆²、高桑 雄二³、小川 修一¹ (1.日本大、2.原子力機構、3.東北大)

キーワード：

Si熱酸化、リアルタイムXPS、表面反応

酸化誘起応力による点欠陥生成とSi-O切断を考慮した統合Si酸化反応モデルを用い、n型・p型Si(001)表面の初期酸化を解析した。Loop Aはn型Siで高速化し、これは電子トンネリングによる化学吸着酸素生成促進に起因する。Loop AからLoop Bへの分岐確率γAは200℃で非線形な酸素分圧依存を示し、熱正孔生成効率と少数キャリア捕獲過程の影響を反映することを明らかにした。