[10p-E218-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-E218-1~13]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2026年9月10日(木) 13:30 〜 17:00

E218 (総合教育棟 E棟)

13:30 〜 13:45

[10p-E218-1]シリコンウェハの加工プロセスがデバイス特性に与える影響

〇藤田龍哉¹、丸山諒馬¹、佐藤和重²、居村史人¹、原史朗^1,3 (1.株式会社Hundred Semiconductors、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

13:45 〜 14:00

[10p-E218-2]小口径向けウェハドロップレット洗浄技術を用いたウェハ乾燥

〇根本一正¹、三浦典子¹、池田伸一¹、原史朗^1,2 (1.産総研、2.(株)Hundred Semiconductors)

14:00 〜 14:15

[10p-E218-3]ミニマルスパッタ装置への逆スパッタ機構の開発

〇野田周一¹、小粥敬成²、薮田勇気³、山本直子³、潘成南³、亀井龍一郎³、三浦典子¹、池田伸一¹、原史朗^1,2 (1.産総研、2.Hundred Semiconductors、3.誠南工業（株）)

14:15 〜 14:30

[10p-E218-4]ミニマルファブにおける酸化プロセスの安定化

〇本郷仁啓¹、野田周一¹、三浦典子¹、池田伸一¹、原史朗^1,2 (1.産総研、2.Hundred Semiconductors)

14:30 〜 14:45

[10p-E218-5]品質工学L18手法を用いたミニマル深掘りvia-holeエッチング形状最適化の解析

〇田中宏幸¹、野沢善幸²、居村史人³、三浦典子¹、池田伸一¹、原史朗^1,3 (1.産総研、2.SPPテクノロジーズ、3.Hundred Semiconductors)

14:45 〜 15:00

[10p-E218-6]生産に向けたマイクロプラズマエッチング装置のエッチングレート安定化

〇関藤竜平¹、居村史人¹、田中宏幸²、三浦典子²、池田伸一²、原史朗^1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産総研)

15:00 〜 15:15

[10p-E218-7]側壁形状と膜質に着目したTSV構造の I/V特性評価

〇高野拓郎¹、関藤竜平²、居村史人²、田中宏幸³、三浦典子³、原史朗³、青西亨⁴、赤井一郎⁵、寺澤靖雄¹、橋新剛⁵ (1.(株)ニデック、2.(株)Hundred Semiconductors、3.産総研、4.東京大学、5.熊本大学)

15:30 〜 15:45

[10p-E218-8]ミニマルファブリソグラフィにおけるレジスト幅の露光量依存性

〇鎌田葵¹、関藤竜平¹、居村史人¹、三浦典子²、池田伸一²、原史朗^1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産業技術総合研究所)

15:45 〜 16:00

[10p-E218-9]エッジ・オン・チップ(EoC)の実用化に向けたミニマルマルチチップパッケージングプロセスの課題およびその対策

〇三浦典子¹、杉山広²、根本一正¹、小粥敬成²、立花哲樹²、居村史人²、池田伸一¹、原史朗^1,2 (1.産総研、2.Hundred Semiconductors)

16:00 〜 16:15

[10p-E218-10]ミニマル水素アニール装置を適用した強誘電性HfN_xダイオードの評価

〇野田周一¹、佐藤和重²、薮田勇気³、山本直子³、亀井龍一郎³、三浦典子¹、池田伸一¹、Li Kangbai⁴、大見俊一郎⁴、原史朗^1,5 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.誠南工業（株）、4.科学大、5.Hundred Semiconductors)

16:15 〜 16:30

[10p-E218-11]ミニマルレーザ加熱装置よる水素雰囲気表面処理の半導体CMOSデバイスへの応用検討(Ⅳ)

〇佐藤和重^1,2、千葉貴史^1,2、寺田昌男^1,2、濱田健吾^1,2、金森義明³、三浦典子⁴、池田伸一⁴、原史朗⁴ (1.ミニマルファブ推進機構、2.坂口電熱、3.東北大、4.産総研)

16:30 〜 16:45

[10p-E218-12]ミニマルファブを用いたニューロンCMOSデバイスの開発

〇小粥敬成¹、三浦典子²、古川大鷹³、福原雅朗³、原史朗^1,2 (1.Hundred、2.産総研、3.東海大情通)

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー英語発表

[10p-E218-13]Dependence of Time Interval Between High-Voltage Application and Microwave Irradiation on Plasma Generation Probability in High-Pressure Microwave Excited Oxygen Plasma

〇(M2)Thiha Kyawswar¹, Yusuke Nakano¹, Yasunori Tanaka¹, Tatsuo Ishijima¹, Noriko Miura², Shinichi Ikeda², Shiro Hara^2,4, Takeshi Aizawa³, Mitsunori Nogawa³, Yasuhiro Oonishi³, Hiroshi Sugiyama⁴, Fumito Imura⁴ (1.Kanazawa Univ., 2.AIST, 3.Yonekura MFG, 4.Hundred Semicon Inc)

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