講演情報
[10p-E218-5]品質工学L18手法を用いたミニマル深掘りvia-holeエッチング形状最適化の解析
〇田中 宏幸1、野沢 善幸2、居村 史人3、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,3 (1.産総研、2.SPPテクノロジーズ、3.Hundred Semiconductors)
キーワード：
TSV、品質工学、パラメータ
3D積層やチップレット技術はTSV深掘りエッチングが重要であるが、電気的絶縁特性の性能向上にTSVホール形状が大きく寄与していることがわかった。そこで、品質工学L18手法を用いて意図的にノイズを加えて最適化を図った。これらのノイズは、お互い交互作用の少ないパラメータ設計が必要となっている。今回、交互作用の少ないパラメータ設計を行ったところ最適値を見つけやすくなった。当日は、この解析結果とモデルの妥当性について報告する。