[10p-E301-1~20] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:15 〜 13:30奨励賞エントリー

[10p-E301-1] プラズマ援用MBE成長した高濃度窒素ドープGa₂O₃薄膜の構造特性評価

〇中岡 俊貴¹、辻本 晃基¹、寺村 祐輔¹、武田 翔真¹、本田 智子¹、東脇 正高¹ (1.大阪公立大院工)

キーワード：

酸化ガリウム、半導体、分子線エピタキシー

我々は、プラズマ援用分子線エピタキシー (PAMBE) を用いて、3 × 10¹⁸ - 3 × 10²¹ cm^-3 と幅広い濃度におけるGa₂O₃薄膜への窒素 (N) ドーピングに成功している。本研究では、PAMBE成長した高濃度NドープGa₂O₃薄膜、およびその上に成長したノンドープ Ga₂O₃薄膜の構造特性評価を行った。その結果、高い結晶性を維持したGa₂O₃薄膜をPAMBE成長可能なNドーピング濃度の上限はN = 1 × 10²¹ cm^-3程度以下であることが分かった。