2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10p-E301-1~20]21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年9月10日(木) 13:15 〜 19:00
E301 (総合教育棟 E棟)
13:15 〜 13:30奨励賞エントリー

[10p-E301-1]プラズマ援用MBE成長した高濃度窒素ドープGa2O3薄膜の構造特性評価

〇中岡 俊貴1、辻本 晃基1、寺村 祐輔1、武田 翔真1、本田 智子1、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[10p-E301-2]プラズマ援用MBE成長した窒素ドープ(AlGa)2O3薄膜の電気的特性評価

〇辻本 晃基1、中岡 俊貴1、寺村 祐輔1、武田 翔真1、本田 智子1、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[10p-E301-3]加熱注入プロセスによるGa2O3への窒素ドーピング

〇(M1)松本 裕真1、松尾 大輔2、金野 舜2、臼井 洸佑2、竹村 真哉2、田中 浩平2、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工、2.日新イオン機器)
14:00 〜 14:15

[10p-E301-4](010) β-Ga2O3にイオン注入した窒素の熱拡散挙動の評価

〇大槻 匠1、東脇 正高1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[10p-E301-5]窒素ドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層のHVPE成長における基板面方位の比較

〇(D)角田 チュクダール 健太郎1、古賀 豊1、河田 誉望1、木川 孝俊1、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工)
14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[10p-E301-6]Nbドープ(Ga0.75In0.25)2O3薄膜の局所構造と電子物性の評価

〇(M2)渡邉 允晴1,2、小畠 雅明3、福田 竜生3、小椋 厚志1,4、長田 貴弘2,1 (1.明大理工、2.物材機構、3.原子力機構、4.明大MREL)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[10p-E301-7]MOVPE法による(AlxGa1-x)2O3成長におけるTMAlとTEAlの分解・燃焼機構の比較

〇寺内 悠真1、佐々木 捷悟2、吉永 純也1,3、富樫 理恵4、古石 真紀子5、瀧浪 欣彦5、石川 真人6、草場 彰7、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工、2.九大院理、3.日本酸素（株）、4.上智大理工、5.カノマックスアナリティカル（株）、6.気相成長（株）、7.九大応力研)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[10p-E301-8]β-Ga2O3 (100)微傾斜基板上に成長したSiドープAlScGaO薄膜の電気特性

〇是石 和樹1、吉松 公平1、大友 明1 (1.科学大物質理工)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[10p-E301-9]酸化ガリウム中近赤外色中心に対する面方位・ドーピングおよび結晶相の影響

〇(M2)豊島 慶大1、神野 莉衣奈1、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生研)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[10p-E301-10]スパッタリング援用MOCVD法によるEu添加Ga2O3結晶成長におけるプラズマおよび成長温度の影響

〇(M1)大島 拓人1、中島 義賢2、多根 正和1、舘林 潤1,3 (1.阪大院工、2.R³センター、3.QIQB)
16:15 〜 16:30

[10p-E301-11]β型酸化ガリウム(011)面基板上ハライド気相成長膜の表面形状

〇大島 孝仁1、大島 祐一1 (1.NIMS)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[10p-E301-12](011) 面HVPE 成長β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのキラー欠陥：マイクロクラックの構造

〇(M1C)中庭 正太郎1、江口 正徳2、佐藤 誠1、サハ　二ロイ チャンドラ1、林 家弘3、佐々木 公平3、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン、3.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
16:45 〜 17:00

[10p-E301-13]（011）面HVPE成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードのキラー欠陥：多結晶欠陥の構造

〇江口 正徳1、中庭 正太郎2、サハ ニロイ チャンドラ2、林 家弘3、佐々木 公平3、嘉数 誠2 (1.佐賀大シンクロトロン、2.佐賀大院理工、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
17:00 〜 17:15

[10p-E301-14]疑似立方晶格子によるβ-Ga2O3上NiO薄膜のエピタキシャル関係の理解

〇池之上 卓己1、余野 正樹1、大島 孝仁2、三宅 正男1、土井 俊哉1 (1.京大院エネ科、2.NIMS)
17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[10p-E301-15]ミスト CVD 法による β-Ga2O3 (011) 基板上 NiO エピタキシャル成長

〇余野 正樹1、池之上 卓己1、大島 孝仁2、土井 俊哉1 (1.京大院エネ科、2.NIMS)
17:45 〜 18:00奨励賞エントリー英語発表

[10p-E301-16]Layer transfer of (010) β-Ga2O3 onto SiO2/Si substrates via hydrogen implantation for heterogeneous integration

〇Yun Jia1, Jewook Jeon1, Kedai Toyoshima1, Ziyi Chen1, Riena Jinno1, Satoshi Iwamoto1,2 (1.RCAST Univ.Tokyo, 2.IIS Univ.Tokyo)
18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[10p-E301-17]加熱イオン注入を用いて作製したエンハンスメントモードGa2O3電流アパーチャー縦型トランジスタ

〇(DC)森原 淳1、松尾 大輔2、金野 舜2、臼井 洸佑2、竹村 真哉2、Wang Zhenwei3、Ferreyra A. Romualdo1、田中 浩平2、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工、2.日新イオン機器、3.情通機構)
18:15 〜 18:30

[10p-E301-18]β-Ga2O3におけるn型およびp型ドーパントの拡散係数の測定

〇(M2)長谷川 流石1、仲村 龍介1、鈴木 健之2 (1.滋賀県大工、2.阪大産研)
18:30 〜 18:45英語発表

[10p-E301-19]Diffusion suppression of Mg and high performance β-Ga2O3 current blocking layers by N+Mg co-doping approach

〇Fenfen Fenda Florena1, Hironobu Miyamoto1, Yuki Koishikawa1, Hirofumi Shinohara1, Kohei Sasaki1, Akito Kuramata1 (1.NCT)
18:45 〜 19:00

[10p-E301-20](001) β-Ga2O3のHVPEによる高濃度n型ドーピング

〇大島 祐一1、大島 孝仁1、林 家弘2、佐々木 公平2 (1.NIMS、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
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