講演情報
[10p-E301-10]スパッタリング援用MOCVD法によるEu添加Ga2O3結晶成長におけるプラズマおよび成長温度の影響
〇(M1)大島 拓人1、中島 義賢2、多根 正和1、舘林 潤1,3 (1.阪大院工、2.R³センター、3.QIQB)
キーワード：
酸化ガリウム、希土類添加半導体、有機金属化学気相堆積法
量子光源用材料として期待されるEu添加Ga2O3のスパッタリング援用MOCVD法の確立に向け、プラズマや成膜温度が及ぼす影響を検討すべく構造・光学評価を行った。その結果、Eu添加Ga2O3膜はプラズマの寄与により成長速度が大きくなった。また、XRD測定結果より、β-Ga2O3回折ピークの半値幅は700℃で成膜した試料で最小化し、結晶化が最も進行していると示唆される。さらに同試料の低温PL測定ではEu3+イオンの5D0 – 7F2遷移由来の発光が確認された。