講演情報
[10p-E301-12](011) 面HVPE 成長β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのキラー欠陥：マイクロクラックの構造
〇(M1C)中庭 正太郎1、江口 正徳2、佐藤 誠1、サハ 二ロイ チャンドラ1、林 家弘3、佐々木 公平3、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン、3.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
(011) 面HVPE β型酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、マイクロクラック
(0-1-1) 面 HVPE 成長したβ-Ga2O3縦型SBDでマイクロクラックの構造を明らかにしたので報告する。超高感度エミッション顕微鏡で、エミッションスポットを撮影し、リーク箇所の特定、シンクロトロンX線トポグラフィー、SEMで、結晶欠陥の観察を行った。 表面をSEM観察したところ、 [100] 方向に延伸するマイクロクラックが観察され、[-100]* 方向から断面SEM観察したところ、キラー欠陥は (001) 面方位のマイクロクラックであることが分かった。