講演情報
[10p-E301-14]疑似立方晶格子によるβ-Ga2O3上NiO薄膜のエピタキシャル関係の理解
〇池之上 卓己1、余野 正樹1、大島 孝仁2、三宅 正男1、土井 俊哉1 (1.京大院エネ科、2.NIMS)
キーワード：
ミストCVD法、Ga2O3、NiO
β-Ga2O3はパワーデバイス応用が期待される超ワイドバンドギャップ半導体であり、p型半導体NiOとのヘテロ接合デバイスが注目されている。しかし単斜晶構造を持つため、立方晶NiOとのエピタキシャル関係を直感的に把握することは難しい。本研究では、β-Ga2O3を酸素面心立方格子に基づく疑似立方晶として捉えることで、ミストCVD法で成膜したNiO薄膜との方位関係を統一的に整理した。