講演情報
[10p-E301-15]ミスト CVD 法による β-Ga2O3 (011) 基板上 NiO エピタキシャル成長
〇余野 正樹1、池之上 卓己1、大島 孝仁2、土井 俊哉1 (1.京大院エネ科、2.NIMS)
キーワード：
β-Ga₂O₃、ミストCVD法、エピタキシャル成長
β-Ga2O3 (011)面はpit-freeな表面が得られやすく、高品質なエピタキシャル成長が期待される。本研究では、ミストCVD法を用いて単結晶β-Ga2O3 (011)基板上にNiOを成長させた。NiO{200}極点図測定およびシミュレーションとの比較から、NiO(93̄1)[110]//β-Ga2O3 (011)[001]の方位関係を有するエピタキシャル成長を確認した。さらに、β-Ga2O3 (1̄12)の方位に合わせた2θ-ω測定においてNiO(200)のピークを観測し、NiO(93̄1)配向が確認された。