講演情報
[10p-E301-2]プラズマ援用MBE成長した窒素ドープ(AlGa)2O3薄膜の電気的特性評価
〇辻本 晃基1、中岡 俊貴1、寺村 祐輔1、武田 翔真1、本田 智子1、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工)
キーワード：
酸化ガリウム、PAMBE、酸化アルミニウムガリウム
窒素 (N) ドープ(AlGa)2O3は、n-Ga2O3との接合界面に大きなエネルギー障壁を形成でき、様々なデバイス応用が期待される。我々は、Ga2O3 (010) 基板上へのNドープ(AlGa)2O3薄膜のプラズマ援用分子線エピタキシー (PAMBE) 成長技術を開発した。本研究では、同Nドープ(AlGa)2O3薄膜を用いてショットキーバリアダイオード (SBD) を作製し、それらの電気的特性を評価した。