[10p-E301-1~20] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

18:45 〜 19:00

[10p-E301-20] (001) β-Ga₂O₃のHVPEによる高濃度n型ドーピング

〇大島 祐一¹、大島 孝仁¹、林 家弘²、佐々木 公平² (1.NIMS、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

HVPE、ドーピング