講演情報
[10p-E301-3]加熱注入プロセスによるGa2O3への窒素ドーピング
〇(M1)松本 裕真1、松尾 大輔2、金野 舜2、臼井 洸佑2、竹村 真哉2、田中 浩平2、東脇 正高1 (1.大阪公立大院工、2.日新イオン機器)
キーワード：
酸化ガリウム、イオン注入、半導体
Ga2O3への窒素 (N) イオン注入ドーピングにおいては、1100°C以上での高温アニールが通常実施されているが、このプロセスによりGa2O3表面近傍で電荷空乏が生じる問題がある。また、Ga2O3への高濃度Siイオン注入において、加熱注入により室温注入と比較して、Si活性化率の向上が得られることが分かっている。本研究では、Nイオン注入において、加熱注入により活性化率の向上、および活性化アニール温度の低減が可能か調査した。