講演情報
[10p-E301-5]窒素ドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層のHVPE成長における基板面方位の比較
〇(D)角田 チュクダール 健太郎1、古賀 豊1、河田 誉望1、木川 孝俊1、熊谷 義直1 (1.東京農工大院工)
キーワード：
β-Ga2O3、ハライド気相成長(HVPE)法、窒素ドーピング
より高性能なβ-Ga2O3系パワーデバイス開発に向け、ホモエピタキシャル層成長時の窒素ドーピングによる成長層のp型化が各種気相成長法で検討されている。本研究では、NH3をドーパント源とするハライド気相成長法を用い、β-Ga2O3(010)および(001)基板上のNドープホモエピタキシャル層成長を比較し、基板面方位が窒素濃度制御性やNドープ層の結晶性に与える影響を調査したので報告する。