講演情報
[10p-E301-8]β-Ga2O3 (100)微傾斜基板上に成長したSiドープAlScGaO薄膜の電気特性
〇是石 和樹1、吉松 公平1、大友 明1 (1.科学大物質理工)
キーワード：
酸化ガリウム、超ワイドバンドギャップ半導体、電子輸送特性
混晶化によるベータ酸化ガリウム系半導体のバンドギャップ制御は，パワーデバイスの耐圧向上や，深紫外光デバイスの応答波長制御に有効である．しかしAlGaOでは，Al組成が25%を超える高Al組成領域の導電性は報告されていない．そこで本研究では，格子整合による欠陥抑制が期待されるAlScGaOにおいて，高Al・Sc組成での導電性の実現を目指した．その結果，PLD法で作製したSiドープAlScGaO薄膜において，混晶組成40%での導電性を実現した．