講演情報
[10p-E310-10]汎用MLPによるSiO2エッチングイールド角度依存性の予測
〇市川 尚志1、栗原 一彰1、中山 沢陽1、高嶋 梨菜1 (1.キオクシア株式会社)
キーワード：
プラズマエッチング、MDシミュレーション、機械学習ポテンシャル
RIE加工後形状の予測結果に大きく影響する物理パラメータとして「エッチングイールド角度依存性」が挙げられる。本研究では汎用MLPの一つPFPによる分子動力学計算(MD)によりSiO2に対するエッチングイールド角度依存性の予測を試みた。結果、角度依存性のプラズマビーム実験の傾向を半定量的に再現した。特に、物理スパッタによるAr+の高エネルギー・高入射角度でのイールド上昇、化学スパッタによるCF3+のイールド上昇を再現した。実験で取得困難であった80度以上の高角度入射で物理スパッタが優位になっていく傾向も得られた。