シンポジウム(口頭講演)シンポジウム：低温プラズマによる半導体加工の未来
[10p-E310-1~11]低温プラズマによる半導体加工の未来
2026年9月10日(木) 13:30 〜 17:45
E310 (総合教育棟 E棟)
座長：石島 達夫(金沢大)、 栗田 弘史(豊橋技科大)、 榊田 創(名城大)
先端ロジック半導体の微細化が進む中、それを支える低温プラズマプロセスの最新動向を俯瞰する。ナノスケールデバイス向け精密加工技術、PFAS対応の分析・計測技術、AIを活用したプロセスインフォマティクスを通して、次世代半導体製造の技術課題と将来展望を議論する。
13:30 〜 13:35
〇榊田 創1、栗田 弘史2 (1.名城大理工、2.豊橋技術科学大工)
13:35 〜 14:05
〇石川 健治1、榊田 創2 (1.名大低温プラズマ、2.名城大理工)
14:05 〜 14:35
〇谷田 知史1、祐川 光成1 (1.Rapidus)
14:35 〜 14:50
〇蕭 世男1、今井 祐輔1、関根 誠1、須田 隆太郎2、木原 嘉英2、石川 健治1、堀 勝1 (1.名古屋大学、2.東京エレクトロン宮城)
15:05 〜 15:35
〇森本 未知数1 (1.日立ハイテク)
15:35 〜 15:50
〇小野 晋次郎1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1 (1.九大)
15:50 〜 16:05奨励賞エントリー
〇(M2)米原 由翔1、平松 美根男1、竹田 圭吾1 (1.名城大理工)
16:20 〜 16:50
〇谷保 佐知1 (1.産業技術総合研究所)
16:50 〜 17:20
〇茂木 弘典1 (1.東京エレクトロン)
17:20 〜 17:35
〇市川 尚志1、栗原 一彰1、中山 沢陽1、高嶋 梨菜1 (1.キオクシア株式会社)
17:35 〜 17:45
[10p-E310-11]クロージング
〇榊田 創1、栗田 弘史2 (1.名城大理工、2.豊橋技術科学大工)
