[10p-E310-1~11] 低温プラズマによる半導体加工の未来 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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セッション詳細

シンポジウム(口頭講演)シンポジウム：低温プラズマによる半導体加工の未来

[10p-E310-1~11]低温プラズマによる半導体加工の未来

2026年9月10日(木) 13:30 〜 17:45

E310 (総合教育棟 E棟)

13:30 〜 13:35

[10p-E310-1]シンポジウムの主旨

〇榊田創¹、栗田弘史² (1.名城大理工、2.豊橋技術科学大工)

13:35 〜 14:05

[10p-E310-2]半導体プロセスにおける低温プラズマの技術課題と今後の流れ

〇石川健治¹、榊田創² (1.名大低温プラズマ、2.名城大理工)

14:05 〜 14:35

[10p-E310-3]微細加工と量産デバイスの現状と未来

〇谷田知史¹、祐川光成¹ (1.Rapidus)

14:35 〜 14:50

[10p-E310-4]HFプラズマによる窒化膜のクライオエッチング機構の解明

〇蕭世男¹、今井祐輔¹、関根誠¹、須田隆太郎²、木原嘉英²、石川健治¹、堀勝¹ (1.名古屋大学、2.東京エレクトロン宮城)

15:05 〜 15:35

[10p-E310-5]ナノスケールデバイスに向けた高精度プラズマエッチング技術

〇森本未知数¹ (1.日立ハイテク)

15:35 〜 15:50

[10p-E310-6]クメンプラズマCVDを用いたハードマスク用a-C:H膜の製膜特性

〇小野晋次郎¹、奥村賢直¹、鎌滝晋礼¹、古閑一憲¹、白谷正治¹ (1.九大)

15:50 〜 16:05奨励賞エントリー

[10p-E310-7]ラジカル注入プラズマCVD法による窒素ドープダイヤモンド薄膜の合成におけるN-Vセンタ形成

〇(M2)米原由翔¹、平松美根男¹、竹田圭吾¹ (1.名城大理工)

16:20 〜 16:50

[10p-E310-8]PFASの包括的評価に向けた分析・計測技術の現状と課題

〇谷保佐知¹ (1.産業技術総合研究所)

16:50 〜 17:20

[10p-E310-9]半導体製造におけるプロセスインフォマティクス

〇茂木弘典¹ (1.東京エレクトロン)

17:20 〜 17:35

[10p-E310-10]汎用MLPによるSiO₂エッチングイールド角度依存性の予測

〇市川尚志¹、栗原一彰¹、中山沢陽¹、高嶋梨菜¹ (1.キオクシア株式会社)

17:35 〜 17:45

[10p-E310-11]クロージング