講演情報
[10p-E310-2]半導体プロセスにおける低温プラズマの技術課題と今後の流れ
〇石川 健治1、榊田 創2 (1.名大低温プラズマ、2.名城大理工)
キーワード：
プラズマエッチング、原子層プロセス、低温プラズマ
低温プラズマは高アスペクト比（HAR）構造形成を支える基盤技術であり、次世代半導体では原子層レベルの制御と科学的理解に基づく設計が求められる。本プロセスは気相での活性種生成、境界層・微細構造内輸送、表面反応から成る階層系として理解される。特に輸送制御、材料選択比向上、ダメージ低減が重要課題であり、反応と輸送を分離した設計が鍵となる。さらに、データ駆動型手法と省エネルギー・低環境負荷化の両立により、持続可能な高度半導体製造への展開が期待される。