講演情報
[10p-E310-7]ラジカル注入プラズマCVD法による窒素ドープダイヤモンド薄膜の合成におけるN-Vセンタ形成
〇(M2)米原 由翔1、平松 美根男1、竹田 圭吾1 (1.名城大理工)
キーワード：
ダイヤモンド、CVD、N-Vセンタ
本研究では、量子デバイス応用が期待される窒素ドープダイヤモンド薄膜を対象にラジカル注入プラズマCVD法を用いてN–Vセンタ形成を検討した。従来のMW-CVD法と比較し、ラマン分光およびPL測定により結晶性とN–Vセンタ形成を評価した。その結果、結晶性を維持しながらN–Vセンタ由来のPL強度が向上し、ICPによる窒素関連活性種の供給がダイヤモンド薄膜中への窒素取り込みに寄与したことが示唆された。