[10p-F211-1~8] 次世代半導体戦略を支える界面ナノ電子化学 ～国際情勢から最新ウエットプロセスまで～

16:15 〜 16:45

[10p-F211-7] インクジェット方式の半導体ウェット洗浄におけるシリコンウェハ帯電メカニズムの解明

〇土屋 雄貴¹、高橋 安徳¹、杉浦 浩太²、佐藤 純大²、清家 善之² (1.リコー、2.愛知工大)

キーワード：

半導体、ウェット洗浄