講演情報
[10p-F211-8]二流体スプレー時のSiO2ウェハの表面状態と表面帯電の関係性
〇佐藤 純大1、杉浦 浩太1、森 竜雄1、一野 祐亮1、清家 善之1 (1.愛知工大)
キーワード：
半導体、ESD
半導体デバイスの製造においてパーティクル除去など二流体スプレーを用いた洗浄方法がある[1]。しかし、製造過程でウェハに有機物が付着し洗浄前のウェハの表面状態に差が生じることがある。そこで我々は二流体スプレー時のSiO2ウェハの表面状態と表面帯電の関係性を明らかにするために実験を行った。