講演情報
[10p-PA2-21]水素添加が低濃度遷移金属ドープITOエピタキシャル成長膜の物性に及ぼす影響
〇曽我 彩乃1、中村 敏浩1,2 (1.京大院人環、2.京大ILAS)
キーワード：
透明導電膜、希薄磁性半導体、エピタキシャル成長膜
スパッタ成膜時のガス組成は、遷移金属ドープITO薄膜の物性に大きな影響を与え得る。本研究では、低濃度CrドープITO薄膜を中心に、アルゴンに水素を添加したガスを用いた高周波マグネトロンスパッタリングにより作製し、水素添加が薄膜の結晶性と物性に及ぼす影響を評価した。結果として、水素添加条件においても薄膜はエピタキシャル成長しており、磁化の値は水素添加の影響を受けていることを確認した。