セッション詳細
[10p-PA2-1~38]6.4 薄膜新材料
2026年9月10日(木) 14:00 〜 15:30
PA2 (第1体育館)
[10p-PA2-1]Sn/SnO2混合ターゲットを用いた反応性スパッタ法で作製したSnO2薄膜の構造および電気・光学特性
〇(M1C)野相 陸透1、賈 軍軍2、金山 慶治1、野瀬 翔太1、横田 果歩1、岡 伸人1 (1.近畿大、2.早稲田大)
[10p-PA2-2]燃料電池セパレータ用SnO₂薄膜の製膜条件と接触抵抗との関係
〇(B)寺島 慈恩1、高橋 勲2,3、田中 孝4、松尾 浩一5、金子 健太郎2,3 (1.立命館大理工、2.立命館大総研、3.立命館大半導体応用研究センター、4.アイテック(株)、5.岩崎電気(株))
[10p-PA2-3]Relationship between the electronic states, the electrical states and the atomic structure of HfO2/β-Ga2O3 interface
〇(DC)Abul Tooshil1,2, Takahiro Nagata1, Masaharu Watanabe1,3, Yoshiyuki Yamashita1,2, Masaaki Kobata4, Tatsuo Fukuda4 (1.NIMS, 2.Kyushu Univ, 3.Meiji Univ, 4.JAEA)
[10p-PA2-6]Bi₂Te₃下地層上Te薄膜の成長温度誘起結晶配向スイッチング
〇小林 裕太1、Shunzhen Wang1、三塚 新1、平岡 拓士1、河口 真志1、林 将光1 (1.東大理物)
[10p-PA2-8]PCL支援ドライ転写による室温vdW強磁性体Cr3Te4の大面積メンブレン化とその構造評価
〇松尾 芽来1、遠藤 幹大2、山崎 大輔1、板橋 勇輝3、岩佐 義宏3、中野 匡規1 (1.芝浦工大工、2.東大院工、3.理研創発)
[10p-PA2-10]Controlled Growth of Chemically Synthesized Magnetic Ni-Mn-Ga Alloy Films
〇(D)Fadhilatu Zikra1, Mutsuhiro Shima1, Koki Sasaki1, Hibiki Kuroda1, Keisuke Yamada1 (1.Gifu Univ)
[10p-PA2-13]トポケミカルフッ化反応によるYCaFe2OxFy単結晶薄膜の組成制御
〇(M2)築地 怜奈1、上垣外 明子1、廣瀬 靖2、片山 司3、近松 彰1 (1.お茶大理、2.都立大理、3.東理大理)
[10p-PA2-15]Ambient Fabrication of Cs2AgBiBr6 Double Perovskite Films: Effects of Mixed-Solvent System and Additive Engineering on Film Quality and Optical Properties
〇(D)MAHA ABUSHAWISH1, Hitoshi Mizuno1, Kimihisa Matsumoto1 (1.Toyama Prefec. Univ.)
[10p-PA2-19]VO2薄膜の化学合成における前駆体溶液の濃度変化が表面形態及び光学特性に及ぼす影響
〇廣野 太陽1、會田 駿1、モハメッド・シュルズ ミヤ1、沖村 邦雄1、中島 智彦2、山口 巖2 (1.東海大院工、2.産業技術総合研究所)
[10p-PA2-20]TiO2をバッファー層とするガラス基板上VO₂薄膜の作製と赤外光スイッチング特性に関する研究
〇(M2)若山 遼平1、廣野 太陽1、沖村 邦雄1、モハメッド・シュルズ ミヤ1、中島 智彦2、山口 巌2 (1.東海大院工、2.産総技術総合研究所)
[10p-PA2-22]ヒドリドイオンデバイス開発に向けたTiHx下地層上SrLiH₃薄膜の配向制御
〇奥山 友規1、大口 裕之1、長坂 胡桃3、福士 英里香1、森 史弥1、原田 尚之2 (1.芝浦工大理工、2.NIMS、3.芝浦工大工)
[10p-PA2-23]水素化物薄膜の物性評価に向けた無機/有機複合保護膜の開発
〇高橋 紀々子1、福士 英里香1、森 史弥1、齋藤 謙太1、木須 一彰1、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工)
[10p-PA2-24]電気抵抗計測による金属薄膜の水素感応特性と濃度検知機構の基礎的検討
〇(M1C)安藤 駿1、原田 亮2、内田 ヘルムート貴大1,2 (1.東海大院工、2.東海大総科研)
[10p-PA2-25]UHVスパッタエピタキシー法による六方晶ZnSnN2層の成長(V)
〇(M1)山口 修志1、堀越 快人1、今井 大斗1、宮澤 幸大1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
[10p-PA2-26]高InN組成(ZnO)x(InN)1-x膜の低温スパッタエピタキシー: 3Dバッファによる表面粗化抑制
〇(M2)熊本 聖1、畑 昌太朗1、高橋 卓也1、鎌滝 晋礼1、奥村 賢直1、木山 治樹1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)
[10p-PA2-27]ECR プラズマアシストスパッタ法で成膜されたSiNとSiONの光学特性
〇若宮 大生1、滝沢 春樹1、島崎 好広1、鳥居 博典1、室谷 裕志2、寅丸 雅光3、神 好人3 (1.日本製鋼所、2.東海大院工、3.JSWアフティ)
[10p-PA2-29]次世代メモリーに資する新たな単分子誘電体成膜手法の開発と発展
〇東海林 良太1、中野 佑紀1、加藤 智佐都1、藤林 将2、西原 禎文3,4 (1.株式会社マテリアルゲート、2.宇部高専、3.広島大院先進理工、4.広島大キラル国際研究拠点)
[10p-PA2-35]光電子運動量顕微鏡を用いたIr(001)単結晶薄膜の結晶構造解析
〇(M1)矢部 颯斗1、橋本 恵里1、松井 文彦2、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.分子研UVSOR)
[10p-PA2-36]角度分解硬X線光電子分光法におけるO1s強度減衰を用いた酸化膜厚の評価法
〇江口 真季穗1、吉住 歩樹1、佐藤 力樹1、竹島 一花1、久保田 直義1 (1.日鉄テクノロジー)
