講演情報
[10p-PA2-22]ヒドリドイオンデバイス開発に向けたTiHx下地層上SrLiH₃薄膜の配向制御
〇奥山 友規1、大口 裕之1、長坂 胡桃3、福士 英里香1、森 史弥1、原田 尚之2 (1.芝浦工大理工、2.NIMS、3.芝浦工大工)
キーワード：
ヒドリドイオン、薄膜
本研究では、ヒドリドイオンデバイスの基礎構造構築に向け、TiHx下地層上にSrLiH3薄膜を作製した。XRD評価により、SrLiH3成膜中にTiHxは脱水素化してTi層へ変化し、TiHx成膜温度によりSrLiH3の優先配向が(111)から(110)へ変化することを示した。