講演情報
[10p-PA2-6]Bi₂Te₃下地層上Te薄膜の成長温度誘起結晶配向スイッチング
〇小林 裕太1、Shunzhen Wang1、三塚 新1、平岡 拓士1、河口 真志1、林 将光1 (1.東大理物)
キーワード：
tellurium、異方性材料、結晶配向制御
本講演では、Bi2Te3バッファ層を用いたファンデルワールス材料Teの結晶配向制御を報告する。Bi2Te3上に基板温度を変えてTeを成膜することで、Teのc軸配向が面内から面直方向へ切り替わることを明らかにした。X線回折、ラマン分光、原子間力顕微鏡による構造・表面評価に基づき、Bi2Te3/Te薄膜の成長様式と配向制御機構を議論する。