講演情報

16:15 〜 16:30

[10p-S1-11]シリコン掘り込み型反射防止構造

〇横山敏史¹、西嘉昭¹、野口佳裕¹、小田真弘¹ (1.TPSCo)

イメージセンサー、反射防止構造

イメージセンサーの量子効率を増やすため、Si掘り込み型の反射防止構造について検討した。ArF露光機によるリソグラフィーおよびドライエッチングにより反射率測定用サンプルを試作した。評価サンプルの反射率測定により、従来の反射防止構造に比べ、短波長領域での大幅な反射率の低下が確認された。