講演情報
[10p-S1-12]ALDプロセスによるSiCN接合膜の検討
〇高橋 虎央弥1、荒賀 祐樹1、高橋 健司1、高木 秀樹1、菊地 克弥1 (1.産総研)
キーワード：
ウェハ接合、原子層堆積法
ハイブリッド接合におけるCu拡散防止を目的に、ALDで成膜したSiCN接合膜の特性を評価した。N₂プラズマ時間の増加によりC–N結合が増加し、膜の均一性が向上した。一方、アニール後には脱ガスに起因するボイドが多数形成された。均一膜形成には吸着サイト制御が重要であり、ボイド抑制には脱ガス低減が必要である。