講演情報
[10p-S1-18]AFM‑IRによるCu/Low‑k配線界面におけるナノスケール構造変化の解析
〇長坂 龍洋1、関 洋文1 (1.東レリサーチセンター)
キーワード：
AFM-IR、ナノスケール構造変化
AFM-IRを用いて、多孔質SiOC系Low‑k膜中のCu/Low‑k配線界面近傍におけるナノスケール化学構造変化を解析した。界面近傍ではSi–CH₃の減少、Si–Hの消失、Si–OHの増加が観測され、プロセスダメージに起因する脱メチル化および親水化の進行が示唆された。これらの変化は誘電率上昇やリーク電流増大の要因と考えられ、AFM-IRによる局所構造評価の有用性を示した。