講演情報
[10p-S1-2]多値抵抗変化型メモリにおける中間状態のデータリテンション劣化抑制書き込み手法
〇(M1)杉本 健1、平田 佑亮1、三澤 奈央子1、松井 千尋1、竹内 健1 (1.東大工)
キーワード：
半導体、抵抗変化型メモリ、CiM
本研究では，アナログ Computation-in-Memory （CiM）のメモリセルに用いる抵抗変化型メモリ（ReRAM）に着目する．特に，ReRAM の多値化によって高密度に保持された値に対して，データリテンション劣化によって生じる保持値の劣化やばらつきの増大を低減するため，目標値の書き込み前に中間状態への事前書き込みと熱処理を行う書き込み手法を提案する．