講演情報
[10p-S1-3]エンデュランス特性劣化抑制の混載フラッシュメモリ
〇平野 博茂1、栗山 寛明1、野間 淳史1 (1.タワーパートナーズセミコンダクター)
キーワード：
フラッシュメモリ、エンデュランス劣化
プロセスコスト抑制の観点から、標準ロジックトランジスタのみで構成された高書換回数の不揮発性メモリへの要望が多い。書換回数を増やしていくと書換時間の劣化が見られるが、本報告では、これらの特性劣化のメカニズムを含め確認し、書換条件の最適化とメモリセル構造の対策による特性劣化の抑制について述べる。