講演情報
[10p-S1-4]水平チャネル型フラッシュメモリにおけるセル間干渉のコンパクトモデリング
〇石川 俊也1、野土 翔登1、刈谷 奈由太1、内藤 慎哉1、来栖 貴史1 (1.キオクシア株式会社)
キーワード：
コンパクトモデル化、セル間干渉、水平チャネル型フラッシュメモリ
高積層化に伴うセル電流低下の対策構造としてHorizontal channel flash（HCF）を開発している．HCFはFG型セルで，セル間干渉が大きいことが課題である．本報告では，この効果を素早く見積もれる容量行列を用いた定式化結果と，TCADによる計算結果を比較した．セル間干渉は積層チャネルの容量結合が支配的であることがわかった．本結果をHCFにおけるセル間干渉の対策検討効率化に活用する．