セッション詳細

[10p-S5-1~14]3.12 半導体光デバイス

2026年9月10日(木) 13:30 〜 17:15
S5 (総合教育棟 S講義棟)

[10p-S5-1][第60回講演奨励賞受賞記念講演] フォトニック結晶を備えた量子カスケードディテクタにおける波長、入射角度、偏光選択性によるノイズ耐性の評価

〇塚田 知樹1、橋本 玲1、角野 努1、廣野 方敏1、金子 桂1、鈴木 梨沙1、宮川 徹也1、Afshan Begum2、池田 直樹2、間野 高明2、渡邊 敬介2、黒田 隆2、迫田 和彰2、斎藤 真司3 (1.(株)東芝、2.NIMS、3.湘南工科大)

[10p-S5-2]広波長域の吸収増強を用いた200 GHz級InGaAs/InPフォトダイオード

〇山田 友輝1、荒木 友輔1、星 拓也1、中島 史人1 (1.NTT 先デ研)

[10p-S5-3]Si上Ge単一光子アバランシェダイオードの検討(2)

〇濱田 直希1、Bin Mohd Zulhabri Faris Izran1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、赤井 大輔1、飛沢 健1、Galloway Elaine T.2、Francis William2、Tan Chee Hing2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.シェフィールド大)

[10p-S5-4]O帯におけるFranz-Keldysh効果の評価に向けたSi上GeリッチSiGe層のCVD成長およびpin受光器応用

〇矢野 大輝1、濵田 直希1、小椋 亮弥1、Piedra-Lorenzana Jose A1、赤井 大輔1、飛沢 健1、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大)

[10p-S5-5]フレキシブルNIR/SWIRデバイス応用に向けた多結晶Ge系薄膜

〇前田 真太郎1,2、小川 顕1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学、2.学振特別研究員)

[10p-S5-6]Suns–VOC法を用いた高照射下レーザー光電変換素子における直列抵抗律速効率の実験的決定

〇青貫 翔1、大下 隆也2、田畑 琴菜2、山田 丈翔2、鈴木 淳一3、青山 怜央3、落合 夏葉1、鈴木 優紀子1、大島 由佳1、赤羽 浩一4、内田 史朗3、西岡 賢祐2、荒井 昌和2、鈴木 雅人1、髙橋 円1 (1.NTT宇宙環境エネルギー研、2.宮崎大、3.千葉工大、4.NICT)

[10p-S5-7]レーザ受光用光電変換素子へのトンネル接合導入による直列抵抗の低減

〇大下 隆也1、田畑 琴菜1、山田 丈翔1、甲斐 響1、宮垣 光陽1、青貫 翔2、鈴木 優紀子2、落合 夏葉2、高橋 円2、赤羽 浩一3、横山 宏有1、浅見 明太1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工、2.NTT、3.NICT)

[10p-S5-8]試料上方からの大気圧プラズマ処理を援用した転写プリント集積技術の検討

〇(M2)征矢 有真1、亀山 暉弘1、伊藤 秀真1、藤田 晃成1、山家 健1、角田 雅弘2、荒川 泰彦2、太田 泰友1 (1.慶應理工、2.東大ナノ量子)

[10p-S5-9]化合物半導体微小薄膜の個別・高速転写プリント集積に向けた基礎検討

〇亀山 暉弘1、伊藤 秀真1、藤田 晃成1、山家 健1、權 晋寛2、角田 雅弘2、荒川 泰彦2、太田 泰友1 (1.慶應理工、2.東大ナノ量子機構)

[10p-S5-10]波長10 µmに感度を有する通信用光検出器の実現に向けたⅡ型超格子構造の検討

〇小見川 聡1,2、赤羽 浩一2、山田 晋矢2、品田 聡2、前田 智弘1,2、外林 秀之1 (1.青学大理工、2.NICT)

[10p-S5-11]薄膜金属を用いた高感度サーマルダイオード赤外線センサに関する研究

〇小林 暁1、花岡 美咲2、新谷 賢治2、園 直樹1 (1.三菱電機情報総研、2.三菱電機先端総研)

[10p-S5-12]高増倍率ZnSe系有機-無機ハイブリッド型紫外APDの開発及びガイガーモード動作検証

〇栗栖 心太1、坂口 悠太1、平田 安里紗1、藤井 隆司1、若畑 朋珠1、尾瀬 匠1、阿部 友紀1、赤岩 和明1、市野 邦男1 (1.鳥取大工)

[10p-S5-13]Tuning Band Alignment of Heterostructure CsPbCl3/PbF2/CsSnCl3 via van der Waals Gap Engineering: A First-Principles Study

〇(D)SOULAYMANE AITBEN HSSEIN1, KOHJI NAKAMURA1 (1.Mie Univ.)