[10p-S5-1~14] 3.12 半導体光デバイス

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[10p-S5-5] フレキシブルNIR/SWIRデバイス応用に向けた多結晶Ge系薄膜

〇前田 真太郎^1,2、小川 顕¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大学、2.学振特別研究員)

キーワード：

ゲルマニウム、薄膜、光検出器

Geは近赤外域に感度を有するIV族半導体として、太陽電池や光検出器への応用が期待されている。我々はこれまで、ガラスやプラスチックなどの汎用基板上に形成した多結晶Ge系薄膜の高品質合成に取り組んできた。しかし、光電流は依然として小さいため、Sn添加や水素プラズマ処理により、結晶性の改善と低欠陥化を図った。そして、光デバイス用基盤材料としての有用性を実証した。