講演情報
[10p-S5-7]レーザ受光用光電変換素子へのトンネル接合導入による直列抵抗の低減
〇大下 隆也1、田畑 琴菜1、山田 丈翔1、甲斐 響1、宮垣 光陽1、青貫 翔2、鈴木 優紀子2、落合 夏葉2、高橋 円2、赤羽 浩一3、横山 宏有1、浅見 明太1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工、2.NTT、3.NICT)
キーワード：
InGaAsP、MOVPE
p基板上のInGaAsP光電変換素子をトンネル接合(TJ)＋n基板の構造に変換させることで直列抵抗低減の可能性を示唆する結果が得られた。これは基板自体の抵抗低減や接触抵抗を低減したことが要因と考えられる。また、トンネル接合を導入した素子の方がわずかに短絡電流が高い結果が得られた。