[11a-A13-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

11:00 〜 11:15

[11a-A13-3] 放射光X線トポグラフィによる4H-SiC 200 mmウエハ全面の欠陥観察

〇原田 俊太¹、Sun Juhyeong¹、梶原 堅太郎²、志村 孝功³ (1.名大、2.JASRI、3.早大)

キーワード：

SiC、転位、X線トポグラフィ

SPring-8 BL16B2に整備された広視野放射光X線トポグラフィを用い、200 mm 4H-SiCウエハ全面の欠陥観察を行った。BPD、TSD、TEDの明瞭な観察と、複数入射角像の統合処理について報告する。