セッション詳細
[11a-A13-1~8]15.6 IV族系化合物（SiC）
2026年9月11日(金) 10:30 〜 12:30
A13 (情報研究棟)
[11a-A13-1]SiCレーザスライシング加工における加工品質予測モデルを用いたロバスト加工条件の最適化
〇安川 滉啓1、長田 圭一1、納谷 剛志2、岩瀨 比宇麻2、川畑 孝志2、髙石 将輝1 (1.アイクリスタル、2.中村留精密工業)
[11a-A13-2]6”SiC結晶のマルチワイヤーソー加工における切断発熱量と熱伝達係数の決定
〇前田 進1、川手 章也1、ヤコーニ ロベルト1、セパシー サイード2、渡辺 宣文2 (1.アイクリスタル（株）、2.マイポックス（株）)
[11a-A13-3]放射光X線トポグラフィによる4H-SiC 200 mmウエハ全面の欠陥観察
〇原田 俊太1、Sun Juhyeong1、梶原 堅太郎2、志村 孝功3 (1.名大、2.JASRI、3.早大)
[11a-A13-4]Automatic Detection of Threading Dislocations in Synchrotron X-ray Topography
Images of 4H-SiC Using YOLOv8s and CBAM-Augmented Faster R-CNN
〇(M2)WEIYUAN XIA1, Rui Zhou1, Yuhui Huang1, Takayoshi Shimura1 (1.Waseda Univ.)
[11a-A13-5]近接昇華法を用いた平滑な蛍光4H-SiCエピタキシャル厚膜成長検討
〇(M2)橋口 碧十1、松本 龍矢1、大川 恭哉1、大原 匠騎1、赤澤 絵理2、鈴木 敦志2、Weifang Lu3、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大学、2.E＆E Evolution、3.厦門大学)
[11a-A13-6]厚膜蛍光4H-SiC実現に向けたRFコイル位置制御によるB供給安定化
〇大川 恭哉1、橋口 碧十1、松本 龍矢1、大原 匠騎1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、鈴木 敦志2、赤澤 絵里2、Weifang Lu3、上山 智1 (1.名城大学、2.E&E エボリューション（株）、3.厦門大学)
[11a-A13-7]パルス電圧制御による4H-SiCの陽極酸化反応挙動の向上に関する研究
〇大原 匠騎1、松本 龍矢1、橋口 碧十1、大川 恭哉1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、鈴木 敦志2、赤澤 絵理2、Ou Yiyu3、Ou Haiyan3、上山 智1 (1.名城大学、2.E&E エボリューション（株）、3.デンマーク工科大学)
[11a-A13-8]パルス陽極酸化条件がポーラス蛍光4H-SiCの光学特性に及ぼす影響
〇松本 龍矢1、大原 匠騎1、橋口 碧十1、大川 恭也1、鈴木 敦志3、赤澤 絵里3、Haiyan Ou2、Yiyu Ou2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1 (1.名城大理工、2.デンマーク工科大学、3.E&E エボリューション)