講演情報
[11a-A13-5]近接昇華法を用いた平滑な蛍光4H-SiCエピタキシャル厚膜成長検討
〇(M2)橋口 碧十1、松本 龍矢1、大川 恭哉1、大原 匠騎1、赤澤 絵理2、鈴木 敦志2、Weifang Lu3、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大学、2.E＆E Evolution、3.厦門大学)
キーワード：
蛍光SiC
B・N共添加4H-SiC（f-SiC）は白色LED用蛍光体として有望だが、厚膜化時のBN供給不安定化による表面劣化が課題である。本研究ではBN供給安定化条件を適用し、近接昇華法で100 μm厚膜を作製した。その結果、平滑なステップフロー成長を維持しつつ目標膜厚を達成し、PL強度も保持・向上した。これにより、厚膜化と発光特性維持の両立を実証し、200 μm超厚膜化への基盤を示した。