講演情報
[11a-A13-6]厚膜蛍光4H-SiC実現に向けたRFコイル位置制御によるB供給安定化
〇大川 恭哉1、橋口 碧十1、松本 龍矢1、大原 匠騎1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、鈴木 敦志2、赤澤 絵里2、Weifang Lu3、上山 智1 (1.名城大学、2.E&E エボリューション（株）、3.厦門大学)
キーワード：
蛍光SiC、近接昇華法
約200 µmの厚膜蛍光SiC実現に向け、RFコイル位置制御によりB供給安定化を図りつつ、その際に成長速度維持を両立することが可能か検証した。RFコイル位置制御によりBN粉末の昇華速度を抑制することで、長時間成長時のB供給安定化に有効な設計指針を得られた。一方、成長速度低下という新たな課題が明らかとなり、厚膜蛍光SiC実現に向け、さらなる長時間のB供給安定化と高成長速度維持の両立が必要となる。