講演情報
[11a-A13-7]パルス電圧制御による4H-SiCの陽極酸化反応挙動の向上に関する研究
〇大原 匠騎1、松本 龍矢1、橋口 碧十1、大川 恭哉1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、鈴木 敦志2、赤澤 絵理2、Ou Yiyu3、Ou Haiyan3、上山 智1 (1.名城大学、2.E&E エボリューション（株）、3.デンマーク工科大学)
キーワード：
半導体、蛍光SiC
BおよびNをドーピングした蛍光SiCは約580 nmの発光を示し、陽極酸化によって形成したポーラス構造からは約460nmの短波長発光が得られるため、高演色性白色LEDへの応用が期待されている。しかし、陽極酸化法では形成速度が低く、電流応答が不安定であることが課題である。本研究では、負のベース電圧およびDuty比を導入したパルス電圧制御により、4H-SiCの陽極酸化反応挙動への影響を評価した。