講演情報
[11a-A13-8]パルス陽極酸化条件がポーラス蛍光4H-SiCの光学特性に及ぼす影響
〇松本 龍矢1、大原 匠騎1、橋口 碧十1、大川 恭也1、鈴木 敦志3、赤澤 絵里3、Haiyan Ou2、Yiyu Ou2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1 (1.名城大理工、2.デンマーク工科大学、3.E&E エボリューション)
キーワード：
SiC
B・N添加SiC（蛍光SiC）にパルス陽極酸化を適用し、ベース電圧がポーラス層の膜厚・反射特性に与える影響を評価した。膜厚は−4 Vまで増加し、−5 Vで減少した。これは負電圧により表面帯電が緩和され反応が促進される一方、過度では構造不安定化が生じるためと考えられる。反射率は膜厚と相関し紫外域で増加し、励起効率低下への影響が示唆された。