[11a-A21-1~6] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15

[11a-A21-1] 金属/高濃度n型GaN界面におけるトンネル電流および接触抵抗率の解析

〇原 征大¹、野崎 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

窒化ガリウム、オーミック接合、トンネル電流