[11a-A21-1~6] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45

[11a-A21-3] 光ヘテロダイン光熱変位法を用いたGaNの転位分布評価

〇細越 裕太¹、本田 善央²、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工、2.名古屋大工)

キーワード：

窒化物半導体、物性評価、GaN